8i4v

Cryo-EM structure of 5-subunit Smc5/6 arm region

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 188.2 Å Quality: SUSPICIOUS

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8i4v

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8i4v
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8i4v
沉积日期 deposition_date2023-01-21
结构标题 titleCryo-EM structure of 5-subunit Smc5/6 arm region
关键词 keywordsCELL CYCLE; CELL CYCLE
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier52.95
回转半径 Rg (电子) rg_electron54.17
零角强度 I(0) i0152205000.00
分子量 molecular_weight100290.0 kDa
排除体积 excluded_volume125390 ų
包络体积 envelope_volume201690 ų
水化壳体积 shell_volume36214 ų
包络直径 envelope_diameter195.6
壳层 Rg shell_rg44.96
包络 Rg envelope_rg54.02
形状 Rg shape_rg54.13
总 Rg total_rg53.89
总原子数 total_atoms7041
残基数 n_residues864
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax188.2
Rg (实空间) rg_real53.78
Rg 误差 (实空间) rg_real_error2.96
I(0) (实空间) i0_real1.5220e+08
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error3.2270e+06
Rg (倒空间) rg_reciprocal52.24
I(0) (倒空间) i0_reciprocal151900000.0000
解质量估计 total_estimate0.4895
解质量评级 solution_quality SUSPICIOUS a SUSPICIOUS solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary37.6
偏度 Skewness skewness0.600
峰度 Kurtosis kurtosis-0.502
角度范围 angular_range— – 0.1500 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha8841000.0000
实空间数据点数 n_real_points31
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.405; Stabil: 0.999; Sysdev: 0.062; Positv: 1.000; Valcen: 0.402; Smooth: 0.558

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (4)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)