8ovx

Cryo-EM structure of yeast CENP-OPQU+ bound to the CENP-A N-terminus

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 116.6 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8ovx

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8ovx
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8ovx
沉积日期 deposition_date2023-04-26
结构标题 titleCryo-EM structure of yeast CENP-OPQU+ bound to the CENP-A N-terminus
关键词 keywordskinetochore, point centromere, CENP-A nucleosome, topological entrapment, centromeric DNA, CELL CYCLE; CELL CYCLE
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier34.84
回转半径 Rg (电子) rg_electron34.13
零角强度 I(0) i0138860000.00
分子量 molecular_weight96050.0 kDa
排除体积 excluded_volume121390 ų
包络体积 envelope_volume171020 ų
水化壳体积 shell_volume43462 ų
包络直径 envelope_diameter121.3
壳层 Rg shell_rg39.16
包络 Rg envelope_rg33.61
形状 Rg shape_rg34.17
总 Rg total_rg34.43
总原子数 total_atoms6763
残基数 n_residues885
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax116.6
Rg (实空间) rg_real34.89
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.29
I(0) (实空间) i0_real1.3890e+08
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error2.3650e+06
Rg (倒空间) rg_reciprocal34.86
I(0) (倒空间) i0_reciprocal138900000.0000
解质量估计 total_estimate0.8762
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary41.4
偏度 Skewness skewness0.408
峰度 Kurtosis kurtosis-0.265
角度范围 angular_range— – 0.2250 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha18310000.0000
实空间数据点数 n_real_points46
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.826; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.994; Smooth: 0.913

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (6)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)