8p82

Cryo-EM structure of dimeric UBR5

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 209.3 Å Quality: REASONABLE

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8p82

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8p82
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8p82
沉积日期 deposition_date2023-05-31
结构标题 titleCryo-EM structure of dimeric UBR5
关键词 keywordsE3, ubiquitin ligase, HECT, LIGASE; LIGASE
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier62.45
回转半径 Rg (电子) rg_electron63.05
零角强度 I(0) i01852860000.00
分子量 molecular_weight359060.0 kDa
排除体积 excluded_volume448850 ų
包络体积 envelope_volume690510 ų
水化壳体积 shell_volume97036 ų
包络直径 envelope_diameter241.0
壳层 Rg shell_rg58.09
包络 Rg envelope_rg61.90
形状 Rg shape_rg63.10
总 Rg total_rg62.76
总原子数 total_atoms25156
残基数 n_residues3192
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax209.3
Rg (实空间) rg_real62.90
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.67
I(0) (实空间) i0_real1.8520e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error3.6380e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal61.99
I(0) (倒空间) i0_reciprocal1850000000.0000
解质量估计 total_estimate0.6162
解质量评级 solution_quality REASONABLE a REASONABLE solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary75.3
偏度 Skewness skewness0.546
峰度 Kurtosis kurtosis0.028
角度范围 angular_range— – 0.1250 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0012
最高正则化参数 α highest_alpha65410000.0000
实空间数据点数 n_real_points26
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.832; Stabil: 0.999; Sysdev: 0.004; Positv: 1.000; Valcen: 0.999; Smooth: 0.502

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (2)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)