8skw

MicroED structure of d(CGCGCG)2 Z-DNA

Method: ELECTRON CRYSTALLOGRAPHY Dmax: 30.5 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8skw

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8skw
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8skw
沉积日期 deposition_date2023-04-20
结构标题 titleMicroED structure of d(CGCGCG)2 Z-DNA
关键词 keywordsZ-DNA, DNA; DNA
实验方法 methodELECTRON CRYSTALLOGRAPHY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier9.46
回转半径 Rg (电子) rg_electron8.70
零角强度 I(0) i0795708.00
分子量 molecular_weight3797.0 kDa
排除体积 excluded_volume3773 ų
包络体积 envelope_volume4554 ų
水化壳体积 shell_volume4964 ų
包络直径 envelope_diameter27.8
壳层 Rg shell_rg13.05
包络 Rg envelope_rg8.88
形状 Rg shape_rg8.67
总 Rg total_rg9.73
总原子数 total_atoms414
残基数 n_residues12
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax30.5
Rg (实空间) rg_real9.41
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.23
I(0) (实空间) i0_real7.9570e+05
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error7.5210e+03
Rg (倒空间) rg_reciprocal9.41
I(0) (倒空间) i0_reciprocal795700.0000
解质量估计 total_estimate0.8922
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary12.4
偏度 Skewness skewness0.170
峰度 Kurtosis kurtosis-0.302
角度范围 angular_range— – 0.5000 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha50390.0000
实空间数据点数 n_real_points80
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.877; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 1.000; Smooth: 0.965

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (3)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)