8t4l

MD65 N332-GT5 SOSIP in complex with RM_N332_07 Fab and RM20A3 Fab

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 187.3 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8t4l

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8t4l
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8t4l
沉积日期 deposition_date2023-06-09
结构标题 titleMD65 N332-GT5 SOSIP in complex with RM_N332_07 Fab and RM20A3 Fab
关键词 keywordsgermline targeting, NHP, SOSIP, Env, HIV, BG18, immunogen design, antibody, VIRAL PROTEIN, VIRAL PROTEIN-Immune System complex; VIRAL PROTEIN/Immune System
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier57.21
回转半径 Rg (电子) rg_electron57.11
零角强度 I(0) i01778930000.00
分子量 molecular_weight347110.0 kDa
排除体积 excluded_volume431800 ų
包络体积 envelope_volume626560 ų
水化壳体积 shell_volume93556 ų
包络直径 envelope_diameter190.6
壳层 Rg shell_rg56.29
包络 Rg envelope_rg56.65
形状 Rg shape_rg57.14
总 Rg total_rg56.96
总原子数 total_atoms24375
残基数 n_residues3039
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax187.3
Rg (实空间) rg_real57.18
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.86
I(0) (实空间) i0_real1.7790e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error3.5730e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal57.21
I(0) (倒空间) i0_reciprocal1779000000.0000
解质量估计 total_estimate0.8633
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary69.4
偏度 Skewness skewness0.262
峰度 Kurtosis kurtosis-0.468
角度范围 angular_range— – 0.1350 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha68990000.0000
实空间数据点数 n_real_points28
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.933; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 1.000; Smooth: 0.420

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (9)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)