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8tdm

Cryo-EM structure of AtMSL10-K539E

Method: ELECTRON MICROSCOPY D_max: 158.5 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8tdm

下载 Download SAXS (.dat) P(r) (.pr.out) CIF

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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id	8tdm
沉积日期 deposition_date	2023-07-03
最后修订 last_revision	2023-10-18
结构标题 title	Cryo-EM structure of AtMSL10-K539E
关键词 keywords	ion channels, mechanosensitive channels, heptamer, Arabidopsis thaliana, TRANSPORT PROTEIN; TRANSPORT PROTEIN
实验方法 method	ELECTRON MICROSCOPY

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2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier	49.86 Å
回转半径 Rg (电子) rg_electron	48.17 Å
零角强度 I(0) i0	1435040000.00
分子量 molecular_weight	321290.0 kDa
排除体积 excluded_volume	404300 Å³
包络体积 envelope_volume	661490 Å³
水化壳体积 shell_volume	109270 Å³
包络直径 envelope_diameter	154.8 Å
壳层 Rg shell_rg	55.79 Å
包络 Rg envelope_rg	47.46 Å
形状 Rg shape_rg	48.30 Å
总 Rg total_rg	48.00 Å
总原子数 total_atoms	43029
残基数 n_residues	3269
球谐函数阶数 n_harmonics	20
q 范围 q_range	— – 0.5000 Å⁻¹
数据点数 n_points	101
壳层类型 shell_type	directional
溶剂电子密度 solvent_density	0.3340 e/Å³
壳层衬度 contrast_shell	0.0300 e/Å³
CRYSOL 版本 crysol_version	4.1.3

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3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax	158.5 Å
Rg (实空间) rg_real	49.45 Å
Rg 误差 (实空间) rg_real_error	1.03 Å
I(0) (实空间) i0_real	1.4350e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error	2.4190e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal	49.86 Å
I(0) (倒空间) i0_reciprocal	1436000000.0000
解质量估计 total_estimate	0.8796
解质量评级 solution_quality	GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks	1
主峰位置 r_peak_primary	59.4 Å
偏度 Skewness skewness	0.132
峰度 Kurtosis kurtosis	-0.446
角度范围 angular_range	— – 0.1600 Å⁻¹
当前正则化参数 α current_alpha	0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha	404900000.0000
实空间数据点数 n_real_points	33
GNOM 版本 gnom_version	4.1.3
质量判据 quality_criteria	AN1: 0.000; Oscil: 0.853; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.949; Smooth: 0.924

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4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

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5. 实体与聚合体信息 (1)

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7. 引用文献 (1)

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8. 文件与曲线 (10)