8tkk

Cryo-EM structure of RNA device 43 truncation mutant 3 (U100C), apo state

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 104.2 Å Quality: REASONABLE

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8tkk

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8tkk
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8tkk
沉积日期 deposition_date2023-07-25
结构标题 titleCryo-EM structure of RNA device 43 truncation mutant 3 (U100C), apo state
关键词 keywordsRNA device, RNA; RNA
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier30.29
回转半径 Rg (电子) rg_electron30.66
零角强度 I(0) i060720800.00
分子量 molecular_weight35436.0 kDa
排除体积 excluded_volume32925 ų
包络体积 envelope_volume55113 ų
水化壳体积 shell_volume17548 ų
包络直径 envelope_diameter109.9
壳层 Rg shell_rg32.44
包络 Rg envelope_rg30.31
形状 Rg shape_rg30.60
总 Rg total_rg30.84
总原子数 total_atoms2331
残基数 n_residues107
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax104.2
Rg (实空间) rg_real30.78
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.10
I(0) (实空间) i0_real6.0720e+07
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error8.7210e+05
Rg (倒空间) rg_reciprocal30.58
I(0) (倒空间) i0_reciprocal60710000.0000
解质量估计 total_estimate0.7415
解质量评级 solution_quality REASONABLE a REASONABLE solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary20.0
偏度 Skewness skewness0.537
峰度 Kurtosis kurtosis-0.555
角度范围 angular_range— – 0.2600 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha1676000.0000
实空间数据点数 n_real_points53
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.554; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.221; Smooth: 0.751

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (3)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)