8umh

Consensus map of PICdeltaTFIIK form2

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 279.8 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8umh

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8umh
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8umh
沉积日期 deposition_date2023-10-17
结构标题 titleConsensus map of PICdeltaTFIIK form2
关键词 keywordsTranscription. POL II, TRANSCRIPTION; TRANSCRIPTION
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier80.71
回转半径 Rg (电子) rg_electron81.48
零角强度 I(0) i014550200000.00
分子量 molecular_weight1006600.0 kDa
排除体积 excluded_volume1252500 ų
包络体积 envelope_volume2130200 ų
水化壳体积 shell_volume219600 ų
包络直径 envelope_diameter284.6
壳层 Rg shell_rg80.57
包络 Rg envelope_rg78.00
形状 Rg shape_rg81.50
总 Rg total_rg81.42
总原子数 total_atoms70481
残基数 n_residues8666
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax279.8
Rg (实空间) rg_real84.13
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.56
I(0) (实空间) i0_real1.4560e+10
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error3.1550e+08
Rg (倒空间) rg_reciprocal80.26
I(0) (倒空间) i0_reciprocal14530000000.0000
解质量估计 total_estimate0.8764
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary88.3
偏度 Skewness skewness0.499
峰度 Kurtosis kurtosis-0.152
角度范围 angular_range— – 0.0950 −1
当前正则化参数 α current_alpha1.2240
最高正则化参数 α highest_alpha1002000000.0000
实空间数据点数 n_real_points20
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.859; Stabil: 0.879; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.993; Smooth: 0.205

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (33)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)