8waz

De novo transcribing complex 16 (TC16), the early elongation complex with Pol II positioned 16nt downstream of TSS

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 173.6 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8waz

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8waz
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8waz
沉积日期 deposition_date2023-09-08
结构标题 titleDe novo transcribing complex 16 (TC16), the early elongation complex with Pol II positioned 16nt downstream of TSS
关键词 keywordstranscribing complex, de novo transcription initiation, early elongation complex (EEC), TRANSCRIPTION; TRANSCRIPTION
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier53.41
回转半径 Rg (电子) rg_electron52.76
零角强度 I(0) i04106230000.00
分子量 molecular_weight511330.0 kDa
排除体积 excluded_volume629020 ų
包络体积 envelope_volume883770 ų
水化壳体积 shell_volume132380 ų
包络直径 envelope_diameter187.0
壳层 Rg shell_rg60.88
包络 Rg envelope_rg52.83
形状 Rg shape_rg52.78
总 Rg total_rg52.90
总原子数 total_atoms35760
残基数 n_residues4287
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax173.6
Rg (实空间) rg_real53.24
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.86
I(0) (实空间) i0_real4.1060e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error6.7850e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal53.54
I(0) (倒空间) i0_reciprocal4108000000.0000
解质量估计 total_estimate0.8737
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary65.8
偏度 Skewness skewness0.250
峰度 Kurtosis kurtosis-0.337
角度范围 angular_range— – 0.1450 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0005
最高正则化参数 α highest_alpha633100000.0000
实空间数据点数 n_real_points30
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.862; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.960; Smooth: 0.807

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (21)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)