8x9n

Cte_A695U_Branch Intermediate,Mg,inactive

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 150.2 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8x9n

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8x9n
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8x9n
沉积日期 deposition_date2023-11-30
结构标题 titleCte_A695U_Branch Intermediate,Mg,inactive
关键词 keywordsCP group ii intron, Cte, back-splicing, circular RNA, cryo-EM, SPLICING, RNA; RNA, SPLICING
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier45.47
回转半径 Rg (电子) rg_electron45.21
零角强度 I(0) i02549220000.00
分子量 molecular_weight238840.0 kDa
排除体积 excluded_volume222660 ų
包络体积 envelope_volume426730 ų
水化壳体积 shell_volume78463 ų
包络直径 envelope_diameter155.7
壳层 Rg shell_rg49.84
包络 Rg envelope_rg44.32
形状 Rg shape_rg45.18
总 Rg total_rg45.36
总原子数 total_atoms15736
残基数 n_residues730
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax150.2
Rg (实空间) rg_real45.36
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.72
I(0) (实空间) i0_real2.5490e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error4.8370e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal45.47
I(0) (倒空间) i0_reciprocal2550000000.0000
解质量估计 total_estimate0.8809
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary51.5
偏度 Skewness skewness0.289
峰度 Kurtosis kurtosis-0.358
角度范围 angular_range— – 0.1750 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha109000000.0000
实空间数据点数 n_real_points36
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.846; Stabil: 0.999; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.998; Smooth: 0.916

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (5)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)