8xve

Cryo-EM structure of ETBR bound with BQ3020

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 126.0 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8xve

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8xve
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8xve
沉积日期 deposition_date2024-01-15
结构标题 titleCryo-EM structure of ETBR bound with BQ3020
关键词 keywordsGPCR, COMPLEX, ETB, BQ3020, SIGNALING PROTEIN; SIGNALING PROTEIN
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier36.11
回转半径 Rg (电子) rg_electron36.25
零角强度 I(0) i0222924000.00
分子量 molecular_weight121340.0 kDa
排除体积 excluded_volume152310 ų
包络体积 envelope_volume197930 ų
水化壳体积 shell_volume46496 ų
包络直径 envelope_diameter136.2
壳层 Rg shell_rg41.25
包络 Rg envelope_rg36.63
形状 Rg shape_rg36.24
总 Rg total_rg36.64
总原子数 total_atoms8524
残基数 n_residues1078
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax126.0
Rg (实空间) rg_real36.31
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.16
I(0) (实空间) i0_real2.2290e+08
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error3.9610e+06
Rg (倒空间) rg_reciprocal36.19
I(0) (倒空间) i0_reciprocal222900000.0000
解质量估计 total_estimate0.8509
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary37.2
偏度 Skewness skewness0.521
峰度 Kurtosis kurtosis-0.163
角度范围 angular_range— – 0.2200 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha60590000.0000
实空间数据点数 n_real_points45
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.766; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.892; Smooth: 0.868

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (6)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)