8zxp

Cryo-EM structure of TmaT-TMA complexes

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 104.4 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 8zxp

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 8zxp
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id8zxp
沉积日期 deposition_date2024-06-14
结构标题 titleCryo-EM structure of TmaT-TMA complexes
关键词 keywordsTMA, ELECTRON TRANSPORT; ELECTRON TRANSPORT
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier35.98
回转半径 Rg (电子) rg_electron35.55
零角强度 I(0) i0310696000.00
分子量 molecular_weight163320.0 kDa
排除体积 excluded_volume212430 ų
包络体积 envelope_volume257070 ų
水化壳体积 shell_volume58084 ų
包络直径 envelope_diameter113.7
壳层 Rg shell_rg43.46
包络 Rg envelope_rg35.49
形状 Rg shape_rg35.54
总 Rg total_rg36.19
总原子数 total_atoms11586
残基数 n_residues1482
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax104.4
Rg (实空间) rg_real35.77
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.50
I(0) (实空间) i0_real3.1070e+08
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error4.6180e+06
Rg (倒空间) rg_reciprocal35.91
I(0) (倒空间) i0_reciprocal310700000.0000
解质量估计 total_estimate0.8837
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary47.5
偏度 Skewness skewness0.082
峰度 Kurtosis kurtosis-0.624
角度范围 angular_range— – 0.2200 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha63620000.0000
实空间数据点数 n_real_points45
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.988; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.988; Smooth: 0.531

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (2)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)