9evh

SV40 large T antigen assembly with DNA in presence of ADP

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 130.4 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 9evh

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 9evh
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id9evh
沉积日期 deposition_date2024-03-29
结构标题 titleSV40 large T antigen assembly with DNA in presence of ADP
关键词 keywordsAAA+ superfamily Helicase Substrate translocation DNA unwinding, DNA BINDING PROTEIN; DNA BINDING PROTEIN
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier42.04
回转半径 Rg (电子) rg_electron41.53
零角强度 I(0) i0918216000.00
分子量 molecular_weight255170.0 kDa
排除体积 excluded_volume321920 ų
包络体积 envelope_volume453510 ų
水化壳体积 shell_volume86635 ų
包络直径 envelope_diameter134.2
壳层 Rg shell_rg50.46
包络 Rg envelope_rg40.46
形状 Rg shape_rg41.54
总 Rg total_rg41.96
总原子数 total_atoms35961
残基数 n_residues2179
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax130.4
Rg (实空间) rg_real41.79
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.62
I(0) (实空间) i0_real9.1820e+08
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error1.4530e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal42.04
I(0) (倒空间) i0_reciprocal918500000.0000
解质量估计 total_estimate0.8938
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary54.9
偏度 Skewness skewness0.110
峰度 Kurtosis kurtosis-0.504
角度范围 angular_range— – 0.1900 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha145900000.0000
实空间数据点数 n_real_points39
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.911; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.959; Smooth: 0.923

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (3)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)