9g93

CryoET structure of the in vitro grown Bacillus anthracis Sap S-layer

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 357.3 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 9g93

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 9g93
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id9g93
沉积日期 deposition_date2024-07-24
最后修订 last_revision2024-12-18
结构标题 titleCryoET structure of the in vitro grown Bacillus anthracis Sap S-layer
关键词 keywordsS-layer, exoskeleton, surface array, STRUCTURAL PROTEIN; STRUCTURAL PROTEIN
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier
回转半径 Rg (电子) rg_electron116.50
零角强度 I(0) i03654900000.00
分子量 molecular_weight528670.0 kDa
排除体积 excluded_volume668960 ų
包络体积 envelope_volume1606800 ų
水化壳体积 shell_volume121090 ų
包络直径 envelope_diameter384.5
壳层 Rg shell_rg84.43
包络 Rg envelope_rg109.90
形状 Rg shape_rg116.50
总 Rg total_rg116.20
总原子数 total_atoms37178
残基数 n_residues4965
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax357.3
Rg (实空间) rg_real119.20
Rg 误差 (实空间) rg_real_error1.77
I(0) (实空间) i0_real3.6100e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error9.1110e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal110.40
I(0) (倒空间) i0_reciprocal3575000000.0000
解质量估计 total_estimate0.8960
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary137.4
偏度 Skewness skewness0.252
峰度 Kurtosis kurtosis-0.686
角度范围 angular_range— – 0.0650 −1
当前正则化参数 α current_alpha2.0160
最高正则化参数 α highest_alpha346600000.0000
实空间数据点数 n_real_points14
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.999; Stabil: 0.902; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.999; Smooth: 0.000

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (1)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)