9l5d

CryoEM structure of Arabidopsis thaliana M309I Rubisco with D4 symmetry

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 135.9 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 9l5d

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 9l5d
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id9l5d
沉积日期 deposition_date2024-12-23
结构标题 titleCryoEM structure of Arabidopsis thaliana M309I Rubisco with D4 symmetry
关键词 keywordsCO2 fixation, PHOTOSYNTHESIS; PHOTOSYNTHESIS
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier45.66
回转半径 Rg (电子) rg_electron45.02
零角强度 I(0) i03210970000.00
分子量 molecular_weight480080.0 kDa
排除体积 excluded_volume602000 ų
包络体积 envelope_volume718750 ų
水化壳体积 shell_volume120320 ų
包络直径 envelope_diameter137.4
壳层 Rg shell_rg57.71
包络 Rg envelope_rg44.83
形状 Rg shape_rg45.01
总 Rg total_rg45.43
总原子数 total_atoms33880
残基数 n_residues4272
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax135.9
Rg (实空间) rg_real45.24
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.84
I(0) (实空间) i0_real3.2110e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error5.7150e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal45.66
I(0) (倒空间) i0_reciprocal3213000000.0000
解质量估计 total_estimate0.8856
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary62.1
偏度 Skewness skewness0.001
峰度 Kurtosis kurtosis-0.550
角度范围 angular_range— – 0.1750 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha1164000000.0000
实空间数据点数 n_real_points36
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.914; Stabil: 0.999; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.944; Smooth: 0.825

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (4)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)