9m4s

crystal structure of Arabidopsis thaliana ING2 PHD finger in complex with an H3K4me3 peptide

Method: X-RAY DIFFRACTION Dmax: 45.7 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 9m4s

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 9m4s
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id9m4s
沉积日期 deposition_date2025-03-04
最后修订 last_revision2025-11-05
结构标题 titlecrystal structure of Arabidopsis thaliana ING2 PHD finger in complex with an H3K4me3 peptide
关键词 keywordshistone modification, epigenetic regulation, H3K4me3, ING1, GENE REGULATION; GENE REGULATION
实验方法 methodX-RAY DIFFRACTION

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier13.01
回转半径 Rg (电子) rg_electron12.02
零角强度 I(0) i01644310.00
分子量 molecular_weight8104.0 kDa
排除体积 excluded_volume9875 ų
包络体积 envelope_volume11490 ų
水化壳体积 shell_volume8515 ų
包络直径 envelope_diameter45.5
壳层 Rg shell_rg17.16
包络 Rg envelope_rg12.70
形状 Rg shape_rg12.06
总 Rg total_rg13.20
总原子数 total_atoms558
残基数 n_residues68
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax45.7
Rg (实空间) rg_real13.00
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.31
I(0) (实空间) i0_real1.6440e+06
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error1.8570e+04
Rg (倒空间) rg_reciprocal13.00
I(0) (倒空间) i0_reciprocal1644000.0000
解质量估计 total_estimate0.8579
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary15.1
偏度 Skewness skewness0.359
峰度 Kurtosis kurtosis-0.090
角度范围 angular_range— – 0.5000 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha257500.0000
实空间数据点数 n_real_points80
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.732; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.954; Smooth: 0.997

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (4)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)