9o5l

Phosphonull (T175E) of stress-activating residues

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 166.9 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 9o5l

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 9o5l
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id9o5l
沉积日期 deposition_date2025-04-10
结构标题 titlePhosphonull (T175E) of stress-activating residues
关键词 keywordsEnvironmental Stress, Sensor Proteins, Signal Transduction, Effector Response, TRANSCRIPTION; TRANSCRIPTION
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier68.75
回转半径 Rg (电子) rg_electron68.36
零角强度 I(0) i08482890000.00
分子量 molecular_weight827660.0 kDa
排除体积 excluded_volume1058400 ų
包络体积 envelope_volume1871900 ų
水化壳体积 shell_volume219290 ų
包络直径 envelope_diameter183.5
壳层 Rg shell_rg81.40
包络 Rg envelope_rg62.34
形状 Rg shape_rg68.38
总 Rg total_rg68.46
总原子数 total_atoms57860
残基数 n_residues7640
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax166.9
Rg (实空间) rg_real68.28
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.28
I(0) (实空间) i0_real8.4830e+09
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error1.1220e+08
Rg (倒空间) rg_reciprocal70.29
I(0) (倒空间) i0_reciprocal8514000000.0000
解质量估计 total_estimate0.8426
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary108.9
偏度 Skewness skewness-0.284
峰度 Kurtosis kurtosis-0.652
角度范围 angular_range— – 0.1150 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha288800000000.0000
实空间数据点数 n_real_points24
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.984; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.998; Smooth: 0.000

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (2)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)