9o7g

CHIP E3 ligase U-box-Fab H1 epitope focused refinement

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 64.2 Å Quality: REASONABLE

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 9o7g

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 9o7g
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id9o7g
沉积日期 deposition_date2025-04-15
结构标题 titleCHIP E3 ligase U-box-Fab H1 epitope focused refinement
关键词 keywordsU-box E3 ligase, Fab, Cryo-EM, Protein degradation, LIGASE-IMMUNE SYSTEM complex; LIGASE/IMMUNE SYSTEM
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier20.48
回转半径 Rg (电子) rg_electron19.62
零角强度 I(0) i019752900.00
分子量 molecular_weight32856.0 kDa
排除体积 excluded_volume40755 ų
包络体积 envelope_volume48804 ų
水化壳体积 shell_volume20839 ų
包络直径 envelope_diameter67.7
壳层 Rg shell_rg25.95
包络 Rg envelope_rg19.87
形状 Rg shape_rg19.57
总 Rg total_rg20.63
总原子数 total_atoms4544
残基数 n_residues303
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax64.2
Rg (实空间) rg_real20.37
Rg 误差 (实空间) rg_real_error0.21
I(0) (实空间) i0_real1.9750e+07
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error2.3320e+05
Rg (倒空间) rg_reciprocal20.39
I(0) (倒空间) i0_reciprocal19750000.0000
解质量估计 total_estimate0.6729
解质量评级 solution_quality REASONABLE a REASONABLE solution
P(r) 峰数 n_peaks2
主峰位置 r_peak_primary26.6
偏度 Skewness skewness0.180
峰度 Kurtosis kurtosis-0.446
角度范围 angular_range— – 0.3900 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0022
最高正则化参数 α highest_alpha7704000.0000
实空间数据点数 n_real_points71
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.917; Stabil: 1.000; Sysdev: 0.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.995; Smooth: 0.998

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (3)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)