9ohe

CryoEM structure of apo Toxin B (TcdB) from Clostridioides difficile in the closed CROP state

Method: ELECTRON MICROSCOPY Dmax: 195.4 Å Quality: GOOD

SAXS 散射曲线 SAXS Profile

SAXS profile for 9ohe

P(r) 距离分布 P(r) Distribution

P(r) distribution for 9ohe
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1. 结构基本信息 1. Structure Basics

条目编号 entry_id9ohe
沉积日期 deposition_date2025-05-04
结构标题 titleCryoEM structure of apo Toxin B (TcdB) from Clostridioides difficile in the closed CROP state
关键词 keywordsclostridioides difficile, Toxin B, TcdB, TOXIN; TOXIN
实验方法 methodELECTRON MICROSCOPY

2. SAXS 参数 (CRYSOL 理论计算) 2. SAXS Parameters (CRYSOL)

回转半径 Rg (Guinier) rg_guinier59.69
回转半径 Rg (电子) rg_electron56.98
零角强度 I(0) i0906373000.00
分子量 molecular_weight234450.0 kDa
排除体积 excluded_volume286150 ų
包络体积 envelope_volume476480 ų
水化壳体积 shell_volume72595 ų
包络直径 envelope_diameter206.3
壳层 Rg shell_rg52.10
包络 Rg envelope_rg61.69
形状 Rg shape_rg57.26
总 Rg total_rg55.91
总原子数 total_atoms16552
残基数 n_residues2366
球谐函数阶数 n_harmonics20
q 范围 q_range— – 0.5000 −1
数据点数 n_points101
壳层类型 shell_typedirectional
溶剂电子密度 solvent_density0.3340 e/ų
壳层衬度 contrast_shell0.0300 e/ų
CRYSOL 版本 crysol_version4.1.3

3. P(r) 距离分布 (GNOM 反演) 3. P(r) Analysis (GNOM)

最大尺寸 Dmax dmax195.4
Rg (实空间) rg_real60.60
Rg 误差 (实空间) rg_real_error2.26
I(0) (实空间) i0_real9.0640e+08
I(0) 误差 (实空间) i0_real_error1.9370e+07
Rg (倒空间) rg_reciprocal58.88
I(0) (倒空间) i0_reciprocal903900000.0000
解质量估计 total_estimate0.7761
解质量评级 solution_quality GOOD a GOOD solution
P(r) 峰数 n_peaks1
主峰位置 r_peak_primary52.6
偏度 Skewness skewness0.601
峰度 Kurtosis kurtosis-0.421
角度范围 angular_range— – 0.1300 −1
当前正则化参数 α current_alpha0.0000
最高正则化参数 α highest_alpha57250000.0000
实空间数据点数 n_real_points27
GNOM 版本 gnom_version4.1.3
质量判据 quality_criteria AN1: 0.000; Oscil: 0.715; Stabil: 1.000; Sysdev: 1.000; Positv: 1.000; Valcen: 0.921; Smooth: 0.019

4. 晶体学与实验 4. Crystallography & Experiment

5. 实体与聚合体信息 (1)

7. 引用文献 (1)

8. 文件与曲线 (10)